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标准简介
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
主要起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所。
主要起草人惠峰 、普世坤 、董汝昆 。
标准基本信息
- 标准号
- GB/T 34481-2017
- 发布日期
- 2017-10-14
- 实施日期
- 2018-07-01
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H25
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准委
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