荣誉资质图片

cma资质(CMA)     CNAS资质(CNAS)     iso体系(ISO) 高新技术企业(高新技术企业)

标准简介

国家标准《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。

主要起草单位电子十一所。

标准基本信息

标准号
GB/T 11297.6-1989
发布日期
1989-03-31
实施日期
1990-01-01
标准类别
方法
中国标准分类号
L32
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

相近标准

GB/T 34481-2017  低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
SJ/T 11490-2015  低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
SJ/T 11489-2015  低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
GB/T 11297.7-1989  锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
20240136-T-469  金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
GB/T 33763-2017  蓝宝石单晶位错密度测量方法
GB/T 11072-2009  锑化铟多晶、单晶及切割片
20232223-T-605  金属和合金的腐蚀 点蚀评价指南
GB/T 5252-2020  锗单晶位错密度的测试方法
GB/T 8760-2020  砷化镓单晶位错密度的测试方法

我们的实力

我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力

部分实验仪器

实验仪器 实验仪器 实验仪器 实验仪器

合作客户

我们的实力

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。