(CMA)
(CNAS)
(ISO)
(高新技术企业)
标准简介
行业标准《低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。
主要起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等。
主要起草人章安辉 、何秀坤 、刘兵等 。
标准基本信息
- 标准号
- SJ/T 11489-2015
- 发布日期
- 2015-04-30
- 实施日期
- 2015-10-01
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部
- 行业分类
- 无
备案信息
备案号：50546-2015。
备案公告： 2015年第7号 。
相近标准
- SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
- GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
- 20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
- GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
- SJ/T 10557.3-1994 电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
- GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法
- GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
- GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
我们的实力
部分实验仪器
合作客户
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
