



标准简介
国家标准计划《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行,主管部门为国家标准委。
主要起草单位山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、南京国盛电子有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司。
标准基本信息
- 计划号
- 20240494-T-469
- 制修订
- 制定
- 项目周期
- 18个月
- 下达日期
- 2024-03-25
- 标准类别
- 方法
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准委
相近标准
- YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
- YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
- SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
- SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
- SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范
- GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片
- GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
- 20231108-T-469 碳化硅单晶片微管密度测试方法
- 20231112-T-469 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
- SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
我们的实力
部分实验仪器




合作客户
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。