(CMA)
(CNAS)
(ISO)
(高新技术企业)
标准简介
国家标准《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
主要起草单位峨嵋半导体材料厂。
主要起草人杨旭 、江莉 。
标准基本信息
- 标准号
- GB/T 14144-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 全部代替标准
- GB/T 14144-1993
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准委
采标情况
本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF 1188-1105。
采标中文名称:用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法。
相近标准
- GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法
- SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
- 20231107-T-469 硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
- SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
- 20232705-T-339 地面用晶体硅光伏电池总规范
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
我们的实力
部分实验仪器
合作客户
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
