(CMA)
(CNAS)
(ISO)
(高新技术企业)
标准简介
国家标准计划《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起的双极退化的试验方法》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、湖南大学。
标准基本信息
- 计划号
- 20242719-T-339
- 制修订
- 制定
- 项目周期
- 16个月
- 下达日期
- 2024-08-23
- 标准类别
- 方法
- 国际标准分类号
- 31.080.30
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
相近标准
- 20242747-T-339 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
- 20201539-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第38部分：带存储的半导体器件的软错误试验方法
- GB/T 4937.31-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）
- GB/T 4937.32-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）
- 20242754-T-339 半导体器件 通用鉴定指南 第2部分：可靠性鉴定中任务剖面的概念
- 20231905-T-339 可靠性仿真试验方法 第2部分：机械部件
- 20201546-T-339 半导体器件 机械与气候试验方法 第44部分：半导体器件的中子辐照单粒子效应（SEE）试验方法
- 20231456-T-604 智能仪器仪表可靠性 第2部分：电气系统可靠性强化试验方法
- 20221733-Z-339 半导体器件 基于扫描的半导体器件退化水平评估
- 20243429-T-339 道路车辆 静电放电引起的电骚扰试验方法
我们的实力
部分实验仪器
合作客户
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
