



标准简介
国家标准计划《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起的双极退化的试验方法》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、湖南大学。
标准基本信息
- 计划号
- 20242719-T-339
- 制修订
- 制定
- 项目周期
- 16个月
- 下达日期
- 2024-08-23
- 标准类别
- 方法
- 国际标准分类号
- 31.080.30
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部(电子)
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