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标准简介

国家标准计划《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起的双极退化的试验方法》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子)。

主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、湖南大学。

标准基本信息

计划号
20242719-T-339
制修订
制定
项目周期
16个月
下达日期
2024-08-23
标准类别
方法
国际标准分类号
31.080.30
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

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