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标准简介
国家标准计划《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、浙江大学、中国电子科技集团公司电子第五十五研究所、重庆大学。
标准基本信息
- 计划号
- 20242747-T-339
- 制修订
- 制定
- 项目周期
- 16个月
- 下达日期
- 2024-08-23
- 标准类别
- 方法
- 国际标准分类号
- 31.080.30
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
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