半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
发布时间：2025-03-02 18:51:50
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来源：中析研究所
标准简介
国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。拟实施日期：发布后3个月正式实施。
主要起草单位工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所。
主要起草人路国光 、章晓文 、林晓玲 、游海龙 、杨少华 、彭超 、肖庆中 、韦覃如 、来萍 、梁斌 、张魁 、赵文斌 、晋李华 。
标准基本信息
- 计划号
- 20213170-T-339
- 制修订
- 制定
- 项目周期
- 18个月
- 下达日期
- 2021-08-24
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- L55
- 国际标准分类号
- 31.080.01
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
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