表面化学分析 深度剖析 中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析
发布时间：2025-01-24 12:02:06
•
阅读量：
•
来源：中析研究所
标准简介
国家标准计划《表面化学分析 深度剖析 中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析》由TC608（全国表面化学分析标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。
主要起草单位中石化石油化工科学研究院有限公司。
标准基本信息
- 计划号
- 20240005-T-469
- 制修订
- 制定
- 项目周期
- 16个月
- 下达日期
- 2024-03-25
- 标准类别
- 方法
- 国际标准分类号
- 71.040.40
- 归口单位
- 全国表面化学分析标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国表面化学分析标准化技术委员会
- 主管部门
- 中国科学院
相近标准
- 20240152-T-469 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法
- GB/T 34326-2017 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法
- GB/T 41064-2021 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
- GB/T 29557-2013 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- 20233734-T-469 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 20175-2006 表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
- GB/T 32997-2016 表面化学分析 辉光放电发射光谱定量成分深度剖析的通用规程
- SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术语深度剖析标准导则
