荣誉资质图片

cma资质(CMA)     CNAS资质(CNAS)     iso体系(ISO) 高新技术企业(高新技术企业)

标准简介

国家标准《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,主管部门为国家标准委。

主要起草单位南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司。

主要起草人马林宝 、骆红 、刘培东 、谭卫东 、吕立平 。

标准基本信息

标准号
GB/T 6617-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
全部代替标准
GB/T 6617-1995
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

相近标准

20233945-T-610  硅片径向电阻率变化测量方法
GB/T 1551-2021  硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
YS/T 602-2017  区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
YS/T 602-2007  区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
SJ/T 11627-2016  太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
GB/T 39978-2021  纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
DB13/T 5026.3-2019  石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分:浆料极片电阻率的测定 四探针法
GB/T 11073-2007  硅片径向电阻率变化的测量方法
20240965-T-606  乙炔炭黑 第9部分 电阻率的测定
YB/T 6166-2024  石墨烯薄膜 方块电阻的测定 四探针法

我们的实力

我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力 我们的实力

部分实验仪器

实验仪器 实验仪器 实验仪器 实验仪器

合作客户

我们的实力

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。