硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
发布时间：2025-01-20 13:00:07
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来源：中析研究所
标准简介
国家标准《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
主要起草单位乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、国标（北京）检验认证有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、宜昌南玻硅材料有限公司、江苏秦烯新材料有限公司、义乌力迈新材料有限公司。
主要起草人梁洪 、赵晓斌 、万涛 、薛心禄 、魏东亮 、王彬 、邱艳梅 、杨素心 、李素青 、李朋飞 、赵培芝 、王永涛 、魏强 、楚东旭 、周延江 、刘文明 、刘红 、何建军 、皮坤林 。
标准基本信息
- 标准号
- GB/T 24581-2022
- 发布日期
- 2022-03-09
- 实施日期
- 2022-10-01
- 全部代替标准
- GB/T 24581-2009
- 标准类别
- 方法
- 中国标准分类号
- H17
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
- 主管部门
- 国家标准委
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