



标准简介
行业标准《硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报,主管部门为工业和信息化部。
主要起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司等。
主要起草人李静 、何秀坤 、刘兵等 。
标准基本信息
- 标准号
- SJ/T 11494-2015
- 发布日期
- 2015-04-30
- 实施日期
- 2015-10-01
- 中国标准分类号
- H82
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部
- 行业分类
- 无
备案信息
备案号:66935-2019。
相近标准
- GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
- GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
- YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- 20231108-T-469 碳化硅单晶片微管密度测试方法
- SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
- SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
- SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
- DB34/T 4268-2022 发酵茶中B族和G族黄曲霉毒素的测定
我们的实力
部分实验仪器




合作客户
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。