(CMA)
(CNAS)
(ISO)
(高新技术企业)
标准简介
国家标准《大于100A，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位北京变压器厂。
标准基本信息
- 标准号
- GB/T 16894-1997
- 发布日期
- 1997-06-28
- 实施日期
- 1998-03-01
- 标准类别
- 基础
- 中国标准分类号
- K46
- 国际标准分类号
- 31.080.10
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
采标情况
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-2-2:1993。
采标中文名称:。
相近标准
- GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
- GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
- GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- JB 5837-1991 ZP系列2000A以上管壳额定整流二极管
- DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范
- JB 5841-1991 ZH系列200A以上管壳额定高压整流二极管
- JB 5836-1991 ZK系列5A以上管壳额定快恢复整流二极管
- GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- QC/T 706-2004 机动车用硅雪崩整流二极管技术条件
我们的实力
部分实验仪器
合作客户
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
