半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
发布时间：2025-04-18 08:05:02
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来源：中析研究所
标准简介
国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。
主要起草人蔚红旗 、张立 、陈子颖 、乜连波 、王晓宝 、秦贤满 。
标准基本信息
- 标准号
- GB/T 29332-2012
- 发布日期
- 2012-12-31
- 实施日期
- 2013-06-01
- 标准类别
- 产品
- 中国标准分类号
- L42
- 国际标准分类号
- 31.080.30;31.080.01
- 归口单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体器件标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
采标情况
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007。
采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。
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