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质谱检测方法相关标准参考信息
T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
简介：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对
信息：ICS：31.080.01 CCS：C398 发布：2019-11-25 实施：2019-12-02
T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
简介：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对
信息：ICS：31.080.01 CCS：C398 发布：2019-11-25 实施：2019-12-02
T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
简介：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对
信息：ICS：31.080.01 CCS：C398 发布：2019-11-25 实施：2019-12-02
DB15/T 2149-2021 革兰氏阴性菌群体感应信号分子的气相色谱-质谱检测方法
简介：
信息：ICS：65.020.30 CCS：B 40 发布：2021-04-15 实施：2021-05-15
DB15/T 2149-2021 革兰氏阴性菌群体感应信号分子的气相色谱-质谱检测方法
简介：
信息：ICS：65.020.30 CCS：B 40 发布：2021-04-15 实施：2021-05-15
DB15/T 2149-2021 革兰氏阴性菌群体感应信号分子的气相色谱-质谱检测方法
简介：
信息：ICS：65.020.30 CCS：B 40 发布：2021-04-15 实施：2021-05-15
T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
简介：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对
信息：ICS：31.080.01 CCS：C398 发布：2019-11-25 实施：2019-12-02
T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
简介：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对
信息：ICS：31.080.01 CCS：C398 发布：2019-11-25 实施：2019-12-02
T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
简介：半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对
信息：ICS：31.080.01 CCS：C398 发布：2019-11-25 实施：2019-12-02
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
简介：1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的
信息：ICS：29.045 CCS：H80 发布：2009-10-30 实施：2010-06-01
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
简介：1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的
信息：ICS：29.045 CCS：H80 发布：2009-10-30 实施：2010-06-01
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
简介：1.1本标准规定了硅和外延片表面Na，Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na，Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量，因此该方法与各金属的化学和电学特性无关。1.2本标准适用于所有掺杂种类和掺杂浓度的
信息：ICS：29.045 CCS：H80 发布：2009-10-30 实施：2010-06-01
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
简介：1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(l×10
信息：ICS：29.045 CCS：H80 发布：2009-10-30 实施：2010-06-01
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
简介：1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(l×10
信息：ICS：29.045 CCS：H80 发布：2009-10-30 实施：2010-06-01
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
简介：1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(l×10
信息：ICS：29.045 CCS：H80 发布：2009-10-30 实施：2010-06-01
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