紫外光电子能谱检测标准紫外光电子能谱-中析研究所检测

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(高新技术企业)

紫外光电子能谱相关标准参考信息

GB/T 41073-2021 表面化学分析电子能谱 X射线光电子能谱峰拟合报告的基本要求
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2021-12-31 00:00:00.0 实施：2022-07-01 00:00:00.0

ISO 17109-2022 表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2022-03-01 实施：

ASTM E995-16 俄歇电子光谱和X射线光电子能谱背景减法技术标准指南
简介：
信息：ICS：17.180.30 CCS：发布：2016-11-01 实施：

GB/T 41072-2021 表面化学分析电子能谱紫外光电子能谱分析指南
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2021-12-31 00:00:00.0 实施：2022-04-01 00:00:00.0

ISO 19318:2021 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 报告用于充电控制和电荷校正的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2021-06-04 实施：

BS ISO 18554-2016 表面化学分析. 电子光谱. 采用X射线光电子能谱分析法对材料进行分析的X射线的意外降解的识别, 评估和修正程序
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2016-03-31 实施：2016-03-31

GB/T 41064-2021 表面化学分析深度剖析用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2021-12-31 00:00:00.0 实施：2022-07-01 00:00:00.0

ISO 22581:2021 表面化学分析X射线光电子能谱测量扫描的近实时信息含碳化合物表面污染的识别和校正规则
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2021-03-12 实施：

ISO 18554:2016 表面化学分析.电子光谱法.用X射线光电子能谱法分析的材料中X射线非预期降解的评定和校正程序
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2016-03-18 实施：

GB/T 36401-2018 表面化学分析 X射线光电子能谱薄膜分析结果的报告
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2018-06-07 00:00:00.0 实施：2019-05-01 00:00:00.0

T/ZSA 39-2020 石墨烯测试方法功函数的测定紫外光电子能谱法
简介：导电薄膜功函数的确定在显示器件应用时起到至关重要的作用。随着基于石墨烯等新材料技术的柔性显示器的批量应用，准确测定石墨烯柔性导电薄膜功函数在产业化方面的需求越来越大。目前为止主流的功函数测试方法是开尔文探针力显微镜（KPFM）法。该方法准确，且可同时获得测试范围内的材料形貌等信息，因此被市场广泛采用，用来测试上一代非柔性显示器件中氧化铟锡（ITO）玻璃的功函数。KPFM方法的缺点是测试时间相对较长，且测试范围较小，通常为几十至几百平方微米。于石墨烯薄膜的缺陷度较高，因此功函数在膜片中的分布均匀性较ITO玻璃低。此时，光电子能谱法（UPS法）测试功函数的优点逐渐显现。首先，UPS法的最大测试范围可至2mm╳2mm，一定程度上规避了KPFM过于微观的特性。其次，UPS测试便捷、快速，可以在几分钟内得到测试结果。此外，UPS法还能同时得到样品的能带信息。因此，UPS法测功函数可作为KPFM方法的有益补充。KPFM方法适用于对于研发等对微观精度要求高的场合，UPS方法可快速准确获得宏观薄膜的整体功函数情况，适用于批量交付产品中的质量控制。本文件规范了UPS法测功函数的方法，以规范UPS法测功函数的基本操作，使此方法在以柔性显示器件为首的产业化进程中更好地发挥作用。
信息：ICS：19.080 CCS：M731 发布：2020-12-17 实施：2020-12-31

ISO 18554-2016 表面化学分析. 电子光谱. 采用X射线光电子能谱分析法对材料进行分析的X射线的意外降解的识别, 评估和修正程序
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2016-03 实施：

GB/T 36401-2018 表面化学分析 X射线光电子能谱薄膜分析结果的报告
简介：本标准给出了采用XPS对基材上薄膜的分析报告所需的最少信息量要求的说明。这些分析涉及化学组成和均匀薄膜厚度的测量，以及采用变角XPS、XPS溅射深度剖析、峰形分析和可变光子能量XPS的方式对非均匀薄膜作为深度函数的化学组成的测量。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2018-06-07 实施：2019-05-01

ASTM E2735-14(2020) 用于选择X射线光电子能谱所需校准的标准指南
简介：
信息：ICS：71.040.50 CCS：发布：2020-12-01 实施：

GOST R ISO 16243-2016 确保测量一致性的国家系统. 表面化学分析. X射线光电子能谱 (XPS) 的记录和报告数据
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2016 实施：2016-11-01

GB/T 33502-2017 表面化学分析 X射线光电子能谱（XPS）数据记录与报告的规范要求
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2017-02-28 00:00:00.0 实施：2018-01-01 00:00:00.0

DIN ISO 16129-2020 表面化学分析. X射线光电子能谱-评估X射线光电子能谱仪的日常性能的程序(ISO 16129-2018); 英文文本
简介：This document provides a rapid set of tests for assessing several key parameters of an X-ray photoelectron spectrometer. The document is intended for use with a monochromated Al KAlpha source or with an unmonochromated Al or Mg KAlpha X-ray source.
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2020-11-01 实施：

GOST R ISO 16243-2016 确保测量一致性的国家系统. 表面化学分析. X射线光电子能谱 (XPS) 的记录和报告数据
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：A43 发布：2016 实施：2016-11-01

GB/T 31472-2015 X光电子能谱中荷电控制和荷电基准技术标准指南
简介：本标准规定了 X射线光电子能谱(XPS)的荷电控制和荷电基准技术。本标准适用于XPS荷电控制和荷电定位技术，不适用于其他电子激发系统。
信息：ICS：17.220.20 CCS：N26 发布：2015-05-15 实施：2016-01-01

T/ZGIA 002-2020 石墨烯测试方法功函数的测定紫外光电子能谱法
简介：本文件规定了紫外光电子能谱法测试石墨烯薄膜功函数的术语和定义、原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、实验数据处理和试验报告。本文件适用于石墨烯功函数测定，其他透明导电膜材料功函数的测定可参照执行。
信息：ICS：19.080 CCS：M731 发布：2020-09-15 实施：2020-10-22

BS ISO 19830-2015 表面化学分析. 电子能谱. X射线光电子能谱峰拟合的最低报告要求
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：A43 发布：2015-11-30 实施：2015-11-30

GB/T 31470-2015 俄歇电子能谱与X射线光电子能谱测试中确定检测信号对应样品区域的通则
简介：本标准规定了俄歇电子能谱和部分类型的X射线光电子能谱检测信号对应样品区域的确定方法。本标准适用于俄歇电子能谱仪和具有以下条件的X射线光电子能谱：入射X光束激发的样品区域大于分析器可检测到的样品区域；光电子从样品到分析器入口的过程中经过自由空间；装配有辅助电子枪可以产生一束可变能量的电子束照射到样品上。
信息：ICS：17.220.20 CCS：N26 发布：2015-05-15 实施：2016-01-01

ISO 10810:2019 表面化学分析 - X射线光电子能谱分析指南
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2019-08-22 实施：

ISO 19830-2015 表面化学分析. 电子能谱. X射线光电子能谱峰拟合的最低报告要求
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2015-11-15 实施：

GB/T 30704-2014 表面化学分析 X射线光电子能谱分析指南
简介：本标准适用于X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。本标准帮助操作者完成整个分析过程,包括样品处理,谱仪校准和设定以及宽扫描谱和窄扫描谱的采集,并给出了定量和准备最终报告的建议。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2014-06-09 实施：2014-12-01

ISO 10810-2019 表面化学分析 - X射线光电子能谱分析指南
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2019-08-22 实施：

ISO 19830:2015 表面化学分析 - 电子光谱 - X射线光电子能谱峰值拟合的最低报告要求
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2015-11-05 实施：

GB/T 30702-2014 表面化学分析俄歇电子能谱和X射线光电子能谱实验测定的相对灵敏度因子在均匀材料定量分析中的使用指南
简介：本标准规定了在俄歇电子能谱和X射线光电子能谱均匀材料定量分析中相对灵敏度因子的实验测量和使用指南。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2014-06-09 实施：2014-12-01

ASTM E996-19 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱中数据报告的标准实施规程
简介：
信息：ICS：19.100 CCS：发布：2019-04-01 实施：

BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G70 发布：2015-08-31 实施：2015-08-31

GB/T 29556-2013 表面化学分析俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率、分析面积和分析器所能检测到的样品面积的测定
简介：本标准规定了俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率、分析面积和分析器所能检测到的样品面积的测量方法。本标准适用于俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率、分析面积和分析器的检测。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2013-07-19 实施：2014-03-01

ISO 20903-2019 表面化学分析 - 俄歇电子光谱和X射线光电子能谱 - 用于确定峰值强度的方法和报告结果时所需的信息
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2019-02-13 实施：

BS ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2015-08-31 实施：2015-08-31

GB/T 28893-2012 表面化学分析.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱.测定峰强度的方法和报告结果所需的信息
简介：本标准规定了俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的峰强度测量的分析结果报告中所要求的必要信息。提供了峰强度测量方法和所得峰面积的不确定度信息。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2012-11-05 实施：2013-06-01

ISO 16129-2018 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 评估X射线光电子能谱仪日常性能的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2018-11-15 实施：

ISO 17109-2015 表面化学分析. 深度剖析. 使用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱, 俄歇电子能谱以及二次离子质谱法溅射深度剖析中溅射率的方法
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2015-08 实施：

GB/T 28892-2012 表面化学分析.X射线光电子能谱.选择仪器性能参数的表述
简介：本标准规定了如何扫描X射线光电子能谱仪的特定性能。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2012-11-05 实施：2013-06-01

BS ISO 14701-2018 表面化学分析. X射线光电子能谱学. 二氧化硅厚度测量
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2018-11-05 实施：2018-11-05

ISO 17109:2015 表面化学分析 - 深度分析 - X射线光电子能谱法中的溅射速率测定方法俄歇电子能谱和二次离子质谱法使用单层和多层薄膜的溅射深度分析
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2015-07-28 实施：

GB/T 28632-2012 表面化学分析.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱.横向分辨率测定
简介：本标准规定了三种条件下测量俄歇电子能谱仪和X射线光电子能谱仪横向分辨率的方法。直边法适用于横向分辨率预期值大于1μm的仪器。栅格法适用于横向分辨率预期值大于20nm，小于1μm的仪器。金岛法则适用于横向分辨率预期值小于50nm的仪器。附录A、附录B和附录C给出了测量横向分辨率的带图的实例。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2012-07-31 实施：2013-02-01

ASTM E996-10(2018) 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱中数据报告的标准实施规程
简介：
信息：ICS：19.100 CCS：发布：2018-11-01 实施：

ASTM E1523-15 X射线光电子能谱法中电荷控制和电荷参考技术的标准指南
简介：
信息：ICS：71.040.50 CCS：发布：2015-06-01 实施：

GB/T 28633-2012 表面化学分析.X射线光电子能谱.强度标的重复性和一致性
简介：本标准规定了常规分析中一种评估X射线光电子能谱仪强度标的重复性和一致性的方法，采用非单色Al/Mg或单色Al X射线源。本标准只适用于装有溅射离子枪的仪器。本标准不做强度/能量响应函数的校准。此校准应由仪器制造厂家或其他合格机构完成。本标准提供的数据用于评估和确认仪器使用期间强度/能量响应函数保持恒定的准确度。本标准提供了一些可能会影响一致性的仪器设置指导意见。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2012-07-31 实施：2013-02-01

ISO 14701:2018 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 氧化硅厚度的测量
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2018-10-31 实施：

ISO 18118:2015 表面化学分析.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱.均匀材料定量分析用实验测定相对灵敏度因子的使用指南
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2015-04-08 实施：

GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
简介：本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2010-09-26 实施：2011-08-01

ISO 14701-2018 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 氧化硅厚度的测量
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2018-10-31 实施：

JIS K0152-2014 表面化学分析. X射线光电子能谱分析. 强度标的重复性和一致性
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：A43 发布：2014-07-22 实施：

GB/T 25185-2010 表面化学分析.X射线光电子能谱.荷电控制和荷电校正方法的报告
简介：本标准以最少量的资料描述了用X射线光电子能谱测量绝缘样品内能级结合能，及将在报告其分析结果时所采用的荷电控制和荷电校正方法，也给出了在结合能测量过程中对于荷电控制和荷电校正有用的方法资料。
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2010-09-26 实施：2011-08-01

ISO 19668-2017 表面化学分析.X射线光电子能谱学.均匀材料中元素检测极限的估算和报告
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2017-08-14 实施：

JIS K0152-2014 表面化学分析. X射线光电子能谱分析. 强度标的重复性和一致性
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：A43 发布：2014-07-22 实施：

GB/T 19500-2004 X射线光电子能谱分析方法通则
简介：本标准规定了X射线光电子能谱（XPS、X-ray Photoelectron Spectroscopy 或ESCA，Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）的一般表面分析方法以及相关的表面化学分析术语的含义，适用于X射线光电子能谱仪。
信息：ICS：17.180.30 CCS：N33 发布：2004-04-30 实施：2004-12-01

ISO 15470:2017 表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 所选仪器性能参数的描述
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2017-03-02 实施：

ASTM E2735-14 用于选择X射线光电子能谱所需校准的标准指南
简介：
信息：ICS：71.040.50 CCS：发布：2014-02-01 实施：

GB/Z 32490-2016 表面化学分析 X射线光电子能谱确定本底的程序
简介：
信息：ICS： CCS：发布：实施：2017-01-01

ISO 15470-2017 表面化学分析. X射线光电子能谱. 选择仪器性能参数说明
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2017-0301 实施：

ISO 13424:2013 表面化学分析——X射线光电子能谱；薄膜分析结果的报告
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：发布：2013-09-23 实施：

IEC TS 62607-6-21-2022 纳米制造.关键控制特性.第6-21部分:石墨烯基材料.元素组成 C/O比:X射线光电子能谱
简介：
信息：ICS：07.030 CCS：发布：2022-09-22 实施：

ISO 15470-2017 表面化学分析. X射线光电子能谱. 选择仪器性能参数说明
简介：
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2017-03-00 实施：

ISO 16531-2013 表面化学分析.深度剖析.原子发射光谱(AES)和光电子能谱(XPS)中深度剖析用电流或电流密度的离子束校正和相关测量方法
简介：This International Standard specifies methods for the alignment of the ion beam to ensure good depth resolution in sputter depth profiling and optimal cleaning of surfaces when using inert gas ions in Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. These methods are of two types: one involves a Faraday cup to measure the ion current; the other involves imaging methods. The Faraday cup method also specifies the measurements of current density and current distributions in ion beams. The methods are applicable for ion guns with beams with a spot size below ~1 mm in diameter. The methods do not include depth resolution optimization.
信息：ICS：71.040.40 CCS：G04 发布：2013-06-01 实施：