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cma资质(CMA)     CNAS资质(CNAS)     iso体系(ISO) 高新技术企业(高新技术企业)

导体结构检测范围

金属样品, 碳纳米管, 石墨烯, 半导体材料, 聚合物导体, 氧化物, 复合导体材料, 玻璃导体, 聚丙烯, 导电胶, 导电涂层, 电解质溶液, 导电陶瓷, 导电纸, 导电油墨, 导电橡胶, 金属氧化物薄膜, 半导体薄膜, 导电纤维, 导电胶水

导体结构检测项目

导体结构, 电阻率, 电导率, 等效电路, 界面电阻, 接触电阻, 热导率, 热电偶, 电流测量, 电压测量, 磁导率, 磁场测量, 声速测量, 导热薄膜, 界面接触角, 介质强度, 线性热膨胀, 高频谐振器, 电偶极子, 热扩散系数, 压电效应, 磁化率, 光电效应, 光学导率, 声学性质, 热膨胀系数, 电感, 音频测量, 开关电容, 介电常数, 单晶导体, 双晶导体, 导磁率, 化学分析, 电子能谱, 光学吸收谱, 表面粗糙度, 电极材料, 电子能带结构, 绝缘体强度, 热膨胀测量, 声音传播速度, 地质勘探, 金属疲劳测试, 弹性常数, 高温膨胀, 爆炸性能测试, 冷却性能测试.

导体结构检测方法

金相显微镜法:首先对样品进行切割、打磨、抛光等预处理,然后利用金相显微镜观察样品的显微组织结构,以确定晶粒大小、晶界特征、孔隙、夹杂物等信息。

X射线衍射法:将样品置于X射线照射下,测量被样品散射的X射线的衍射角度和强度,通过与标准谱图的比对,可以确定样品的晶体结构、晶格常数等信息。

扫描电子显微镜法:利用扫描电子显微镜观察样品表面形貌和表面微观结构,可提供样品表面的形貌特征、晶体生长情况、晶界分布等信息。

热重分析法:对样品进行加热,测量样品在不同温度下的质量变化情况,从而分析样品的热稳定性、热分解特性、含水量等。

红外光谱法:将样品与红外光进行相互作用,检测被样品吸收的红外光的波长和强度,通过与标准库进行比对,可确定样品的化学组成、功能基团等信息。

荧光光谱法:利用激发样品后,观察样品发出的荧光信号的波长和强度,可以分析样品的荧光特性、能带结构等。

电化学分析法:利用电化学仪器对样品进行电流、电位等参数的测量,从而研究样品的电化学行为、电催化性能等。

质谱法:将样品中的化合物分解为带电离子或中性分子,然后利用质谱仪对这些离子或分子进行分析和检测,从而确定样品的分子结构、相对分子质量等。

核磁共振法:将样品置于强磁场中,通过给样品施加射频脉冲并测量其回波信号,利用样品中核磁共振现象分析样品的化学组成、分子结构等。

拉曼光谱法:将样品与激光进行相互作用,检测被样品散射的光子的频率和强度,通过与标准光谱的比对,可以确定样品的化学组成、分子结构等。

导体结构检测仪器

扫描电子显微镜(SEM), 透射电子显微镜(TEM), 原子力显微镜(AFM), 红外光谱仪(FTIR), 傅里叶变换红外光谱仪(FTIR), 偏振显微镜(POM), 紫外-可见分光光度计(UV-Vis), X射线衍射仪(XRD), 热重-差热分析仪(TGA-DTA), 微型热量计(DSC), 等离子体发射光谱仪(ICP-OES), 等离子体质谱仪(ICP-MS), 核磁共振仪(NMR), 拉曼光谱仪, 气相色谱仪(GC), 液相色谱仪(LC), 质谱仪(MS), 电化学工作站, 纳米粒子分析仪, 激光粒度仪 laser diffraction particle size analyzer.

检测标准

JB/T 8661-1997:电力半导体模块结构件

SJ 20756-1999:半导体分立器件结构相似性应用指南

GB/T 41852-2022:半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法

GB/T 3956-2008:电缆的导体

GB/T 37031-2018:半导体照明术语

GB/T 14264-2009:半导体材料术语

SJ/T 11395-2009:半导体照明术语

SJ/T 11395-2009(2017):半导体照明术语

YS/T 603-2006(2012):烧结型银导体浆料

QJ 2225-1992:半导体器件使用规则

YS/T 603-2023:烧结型银导体浆料

YS/T 606-2006:固化型银导体浆料

GB/T 3859.4-2004:半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器

YS/T 454-2003(2009):铝及铝合金导体

YS/T 606-2023:固化型银导体浆料

SJ/T 10414-2015(2017):半导体器件用焊料

YS/T 603-2006:烧结型银导体浆料

YS/T 606-2006(2012):固化型银导体浆料

QB/T 5369-2019:半导体制冷器具

SJ/T 10414-2015:半导体器件用焊料

CNS 7011-1981:多极半导体装置的电极编号与多元半导体装置的元件命名

GB/T 2900.32-1994:电工术语 电力半导体器件

JB/T 5844-1991:电力半导体器件参数符号

SJ 20642-1997:半导体光电模块总规范

YY/T 0998-2015:半导体升降温治疗设备

YS/T 678-2008(2017):半导体器件键合用铜丝

YS/T 604-2023:金基厚膜导体浆料

JB/T 10097-2000:电力半导体器件用管壳

YS/T 641-2007(2014):半导体器件键合用铝丝

YS/T 641-2007(2017):半导体器件键合用铝丝

我们的实力

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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。