(CMA)
(CNAS)
(ISO)
(高新技术企业)
检测样品
微电子器件DPA分析微电子器件微电子器件筛选电工电子产品、微电子器件、半导体分立器件
实验周期
7-15个工作日，加急实验一般5个工作日
检测项目
声学扫描显微镜低气压试验粒子碰撞噪声检测(PIND)玻璃钝化层的完整性内部目检剪切强度密封热冲击粒子碰撞噪声检测试验SEM检查稳定性烘焙外部目检机械冲击键合强度模拟寿命X射线检查耐湿试验温度循环恒定加速试验温度循环试验密封（氟油检漏）低气压稳态寿命老炼振动疲劳试验盐雾（盐汽）浸液绝缘电阻高温试验剪切强度
检测标准
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1103 2.4
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 5
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2020.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2021
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1、方法2013、方法2017.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2017
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1014.2
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2019.2
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1011.1
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.10、1102 2.10、1002 2.9、1003 2.11
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.4、1102 2.4、1003 2.5
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法1014.2
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 2020.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2077
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法217
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 1008.1
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.7、1102 2.7、1103 2.5、1001 2.4、1002 2.8、1003 2.8
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.5、1102 2.5、1002 2.5、1003 2.6
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2009.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2002.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2037
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 2009.1
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1007
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2012.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1071
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2076
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1，方法2013方法2014方法2017.1
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法 1004.1
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.2、1102 2.2、1103 2.2、1001 2.2、1002 2.2、1003 2.2
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1010.1
微电子器件试验方法和程序微电路试验方法 GJB 548B-2005 MIL-STD-883K w/CHANGE2-2017MIL-STD-883J：2015 方法2002
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2006
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.3、1102 2.3、1103 2.3、1002 2.3、1003 2.3
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1010.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1014.2
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2011.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2069、方法2070、方法2072、方法2074
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法209
电工电子产品环境试验 GB/T2423.22-2012 试验N:温度变化
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 1014.2
u003cbru003eMIL-STD-883K w/CHANGE2-2017u003cbru003eMIL-STD-883J：2015 方法 1001微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1005.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1015.1
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2009.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2001.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2071
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2009
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1005.1
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1009.2
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.8、1102 2.8、1103 2.6、1003 2.9
MIL-STD-883J：2015 方法1002微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1003
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1051
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1008.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1032
电工电子产品环境试验 第2部分 GB/T2423.2-2008 试验B:高温试验
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2017
以上标准仅供参考，如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师
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注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
