(CMA)
(CNAS)
(ISO)
(高新技术企业)
检测样品
双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管
实验周期
7-15个工作日，加急实验一般5个工作日
检测项目
集电极-发射极击穿电压发射极-基极击穿电压集电极-基极截止电流 ICBO基极-发射极饱和电压集电极-发射极截止电流 ICEO基极-发射极饱和电压VBESat集电极截止电流基极-发射极饱和压降集电极截止电流 ICES共发射极正向电流传输比的静态值1dB压缩点输入功率电平、1dB压缩点输出功率电平集电极-发射极饱和电压噪声系数发射极电流为零时的集电极 基极击穿电压正向电流传输比发射极-基极击截止电流集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)栅极-发射极漏电流 IGES集电极-发射极饱和电压VCESat集电极-发射极饱和电压 VCE(sat）集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)EBO共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变）（直流或脉冲法）h21E集电极-基极击穿电压发射极-基极截止电流集电极电流为零时的发射极 基极击穿电压共发射极正向电流传输比发射机-基极截止电流（直流法）IEBO集电极-发射极饱和压降集电极-基极截止电流开关时间基极-发射极电压发射极-基极截止电流 IEBO集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO集电极-基极截止电流（直流法）ICBO结至环境的热阻/结至壳的热阻栅极漏电流输出功率、输出功率频响、增益集电极-发射极饱和电压VCEsat集电极-发射极截止电流集电极-发射极击穿电压(基极开路) V（BR）CEO电压驻波比发射极-基极截止电流（直流法）IEBO集电极-发射极截止电流（直流法）ICEO栅极-发射极阈值电压 VGE(th)集电极发射极击穿电压1dB压缩点输入功率电平、1dB压缩点输出功率电平
检测标准
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节10
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章 第1节第10条
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节2.1
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节5
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节3
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节5
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB/T 29332-2012 6.3.4
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节5
半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.4
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章 第2节第7条
微波元器件性能测试方法 GJB 2650-1996 方法2006
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第IV章 第1节4
半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节14
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 /第Ⅳ篇第1节10.2
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 /第IV章、第2节、7
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 /第IV章、第1节、2.2
半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.2
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节第5条
半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.5
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节4
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节4.1
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节10
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.4
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节9.6
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节2.2
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 /第Ⅳ篇第1节5
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.5
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.9.6
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节2.2
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节9.6
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 /第IV章、第1节、4
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节2.1
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章 第1节第12条
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节4
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 /第Ⅳ篇第1节6
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第Ⅳ章第1节10.2
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节4
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.10
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节10
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节11
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB/T 29332-2012 6.3.5
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 /第IV章、第1节、10
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.2
微波元器件性能测试方法 GJB 2650-1996 方法2005
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节4
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节2.2
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 第IV第1节3
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 /第IV章、第1节、3
微波元器件性能测试方法 GJB 2650-1996 方法1001
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 /第Ⅳ篇第1节2.1
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第2节7
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节第2.1条
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB/T 29332-2012 6.3.2
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节2.2
半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT) GB/T 29332-2012 6.3.3
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994 第IV章第1节第3条
具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法 JESD 51-14：2010
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994 Ⅳ.1.3
微波元器件性能测试方法 GJB 2650-1996 方法2006
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