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信息概要
高k金属栅偏压温度不稳定性（BTI）是评估半导体器件可靠性的重要指标之一，主要研究在高电场和温度应力下器件阈值电压的漂移现象。随着半导体工艺的不断进步，高k金属栅结构广泛应用于先进制程中，但其BTI效应可能对器件性能和寿命产生显著影响。检测高k金属栅BTI对于确保芯片可靠性、优化工艺参数以及提高产品良率具有重要意义。第三方检测机构通过专业设备和标准化流程，为客户提供精准的BTI检测服务，帮助厂商提前发现潜在问题，提升产品竞争力。
检测项目
阈值电压漂移，界面态密度，栅极漏电流，应力时间依赖性，温度依赖性，偏压应力条件，恢复特性，动态BTI效应，静态BTI效应，频率依赖性，栅介质陷阱电荷，载流子迁移率变化，时间至失效，应力电场强度，应力温度范围，器件老化速率，栅极电容变化，瞬态特性分析，噪声特性，可靠性寿命预测
检测范围
高k金属栅MOSFET，FinFET器件，纳米片晶体管，环栅晶体管，SOI器件，DRAM存储器，闪存存储器，逻辑芯片，模拟芯片，射频器件，功率器件，CMOS图像传感器，MEMS器件，3D集成器件，光电器件，传感器芯片，汽车电子芯片，人工智能加速器，5G通信芯片，物联网芯片
检测方法
直流应力法：通过施加恒定栅极偏压和温度应力，测量阈值电压漂移。
脉冲应力法：采用周期性脉冲信号模拟实际工作条件，评估动态BTI效应。
快速恢复测量：在应力去除后立即进行电学参数测量，捕捉快速恢复过程。
温度加速测试：在不同温度下进行应力实验，提取活化能参数。
频率扫描测试：通过改变测试信号频率，分析界面态对BTI的影响。
栅极电容-电压测试：通过C-V曲线分析界面态和氧化层陷阱。
噪声测试：测量低频噪声特性，评估界面态密度变化。
瞬态电流测试：分析应力后器件的瞬态响应特性。
电荷泵测试：定量测量界面陷阱密度及其能量分布。
TDDB测试：结合时间依赖介质击穿测试评估器件可靠性。
多应力水平测试：采用阶梯式应力条件，提高测试效率。
统计分析方法：对大量器件测试数据进行统计分析。
原位测试技术：在应力施加过程中实时监测参数变化。
温度循环测试：评估温度变化对BTI效应的影响。
长期可靠性测试：进行长时间应力实验预测器件寿命。
检测仪器
半导体参数分析仪，高精度源测量单元，温控探针台，高温测试腔体，脉冲信号发生器，频率响应分析仪，电容-电压测试仪，噪声测试系统，瞬态测试系统，电荷泵测试仪，可靠性测试系统，晶圆级测试系统，自动测试设备，显微镜检测系统，数据采集系统
我们的实力
部分实验仪器
合作客户
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
