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信息概要
ESD损伤电压衬度成像（VCI）是一种用于检测静电放电（ESD）对半导体器件或集成电路造成损伤的先进技术。该技术通过电压衬度成像原理，直观显示器件中因ESD导致的缺陷或失效区域，帮助客户快速定位问题并分析失效原因。检测ESD损伤对于提高电子产品的可靠性和良率至关重要，尤其在高端制造领域，如芯片、封装和电子组件生产过程中，ESD损伤可能导致潜在故障，影响产品性能和寿命。通过专业的VCI检测服务，客户可以提前发现并解决ESD相关问题，降低生产成本，提升产品竞争力。
检测项目
ESD损伤区域定位，漏电流检测，短路分析，开路分析，栅氧击穿检测，接触电阻异常，金属层损伤，多晶硅损伤，PN结失效，钝化层破裂，电极腐蚀，焊盘损伤，导线断裂，层间介质损伤，掺杂异常，界面态密度变化，热载流子效应，闩锁效应，寄生电容变化，阈值电压漂移
检测范围
集成电路芯片，半导体器件，功率器件，存储器，逻辑器件，模拟器件，射频器件，传感器，MEMS器件，光电器件，封装组件，PCB板，晶圆，二极管，三极管，MOSFET，IGBT，LED，太阳能电池，微处理器
检测方法
电压衬度成像（VCI）：通过电子束扫描样品表面，利用电压差异生成衬度图像，定位ESD损伤区域。
扫描电子显微镜（SEM）分析：高分辨率成像技术，用于观察微观损伤形貌。
透射电子显微镜（TEM）分析：用于分析纳米级损伤结构。
聚焦离子束（FIB）切割：制备样品横截面，观察内部损伤。
能谱分析（EDS）：检测损伤区域的元素成分变化。
电子束诱导电流（EBIC）：检测PN结失效和载流子输运异常。
光学显微镜检查：初步观察宏观损伤。
红外热成像：检测局部过热或热损伤。
原子力显微镜（AFM）：测量表面形貌和电学特性。
二次离子质谱（SIMS）：分析掺杂浓度分布。
X射线衍射（XRD）：检测晶体结构损伤。
电学参数测试：测量IV特性、电阻等参数。
失效分析（FA）：综合多种技术确定失效机制。
可靠性测试：评估ESD损伤对器件寿命的影响。
激光扫描显微镜（LSM）：检测深层缺陷。
检测仪器
扫描电子显微镜，透射电子显微镜，聚焦离子束系统，能谱仪，电子束诱导电流系统，光学显微镜，红外热像仪，原子力显微镜，二次离子质谱仪，X射线衍射仪，参数分析仪，激光扫描显微镜，探针台，IV测试仪，可靠性测试系统
我们的实力
部分实验仪器
合作客户
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
